① BGA和FBGA和FPGA的区别长的都一样
1、概念区别：BGA是父，FBGA是子；因为FBGA封装技术在建立在BGA基础之上发展而来的。
2、封装技术方式区别：BGA是焊球阵列封装；FBGA是细间距球栅阵列封装。
3、BGA优势：体积小、散热快；而FBGA优势：封装速度快、存储量大。
至于FPGA则是另一种概念了，不是封装概念，是一种可编程逻辑芯片，跟MCU，DSP的概念类似，既然是芯片的概念，它可以有BGA或FBGA或其它形式封装
希望对你有帮助，采纳一下吧
② 内存条FBGA与MBGA有什么区别
BGA是一种封装技术，即球栅阵列封装，是现在内存用的主流封装形式，相比老式的TSOP封装，具有体积小、电气性能好等优点。
其中FBGA是BGA技术的一种发展，即Fine-Pitch
BGA（细间距BGA），BGA锡球针脚密度更大，体积更小，容量更大，散热更好，更适合于内存与显存颗粒的封装。而MBGA则是FBGA技术在外观上的一种体现，即Micro
BGA（微型BGA），跟FBGA实际上是一样的。
也就是说FBGA/MBGA实际上都是同一个东西，只不过称呼的侧重点不同，MBGA侧重于对外观的直接描述，FBGA侧重与对针脚的排列形式。
有些厂家习惯性把存储颗粒的外观形式出现的先后顺序作为MBGA和FBGA的区别，他们会把出现得早的正方形颗粒称作MBGA，名称出现得晚一点的长方形的称作FBGA。其实他们都是可以直接称呼为MBGA或者FBGA的。
③ 内存的FBGA和BGA的区别是什么
它们的区别有许多，简单说几个区别：
1、首先第一个区别在于概念：BGA是父，FBGA是子；因为FBGA封装技术在建立在BGA基础之上发展而来的。
2、第二个区别在于封装技术方式：BGA是焊球阵列封装；FBGA是细间距球栅阵列封装。
3、BGA优势：体积小、散热快；而FBGA优势：封装速度快、存储量大。
④ 关于计算机的专业术语
? 1、CPU
3DNow!（3D no waiting，无须等待的3D处理）
AAM（AMD Analyst Meeting，AMD分析家会议）
ABP（Advanced Branch Prediction，高级分支预测）
ACG（Aggressive Clock Gating，主动时钟选择）
AIS（Alternate Instruction Set，交替指令集）
ALAT（advanced load table，高级载入表）
ALU（Arithmetic Logic Unit，算术逻辑单元）
Aluminum（铝）
AGU（Address Generation Units，地址产成单元）
APC（Advanced Power Control，高级能源控制）
APIC（Advanced rogrammable Interrupt Controller，高级可编程中断控制器）
APS（Alternate Phase Shifting，交替相位跳转）
ASB（Advanced System Buffering，高级系统缓冲）
ATC（Advanced Transfer Cache，高级转移缓存）
ATD（Assembly Technology Development，装配技术发展）
BBUL（Bumpless Build-Up Layer，内建非凹凸层）
BGA（Ball Grid Array，球状网阵排列）
BHT（branch prediction table，分支预测表）
Bops（Billion Operations Per Second，10亿操作/秒）
BPU（Branch Processing Unit，分支处理单元）
BP（Brach Pediction，分支预测）
BSP（Boot Strap Processor，启动捆绑处理器）
BTAC（Branch Target Address Calculator，分支目标寻址计算器）
CBGA (Ceramic Ball Grid Array，陶瓷球状网阵排列)
CDIP (Ceramic Dual-In-Line，陶瓷双重直线)
Center Processing Unit Utilization，中央处理器占用率
CFM（cubic feet per minute，立方英尺/秒）
CMT（course-grained multithreading，过程消除多线程）
CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconctor，互补金属氧化物半导体）
CMOV（conditional move instruction，条件移动指令）
CISC（Complex Instruction Set Computing，复杂指令集计算机）
CLK（Clock Cycle，时钟周期）
CMP（on-chip multiprocessor，片内多重处理）
CMS（Code Morphing Software，代码变形软件）
co-CPU（cooperative CPU，协处理器）
COB（Cache on board，板上集成缓存，做在CPU卡上的二级缓存，通常是内核的一半速度））
COD（Cache on Die，芯片内核集成缓存）
Copper（铜）
CPGA（Ceramic Pin Grid Array，陶瓷针型栅格阵列）
CPI（cycles per instruction，周期/指令）
CPLD（Complex Programmable Logic Device，复杂可程式化逻辑元件）
CPU（Center Processing Unit，中央处理器）
CRT（Cooperative Rendant Threads，协同多余线程）
CSP（Chip Scale Package，芯片比例封装）
CXT（Chooper eXTend，增强形K6-2内核，即K6-3）
Data Forwarding（数据前送）
dB（decibel，分贝）
DCLK（Dot Clock，点时钟）
DCT（DRAM Controller，DRAM控制器）
DDT（Dynamic Deferred Transaction，动态延期处理）
Decode（指令解码）
DIB（Dual Independent Bus，双重独立总线）
DMT（Dynamic Multithreading Architecture，动态多线程结构）
DP（Dual Processor，双处理器）
DSM（Dedicated Stack Manager，专门堆栈管理）
DSMT（Dynamic Simultaneous Multithreading，动态同步多线程）
DST（Depleted Substrate Transistor，衰竭型底层晶体管）
DTV（Dual Threshold Voltage，双重极限电压）
DUV（Deep Ultra-Violet，纵深紫外光）
EBGA（Enhanced Ball Grid Array，增强形球状网阵排列）
EBL（electron beam lithography，电子束平版印刷）
EC（Embedded Controller，嵌入式控制器）
EDEC（Early Decode，早期解码）
Embedded Chips（嵌入式）
EPA（edge pin array，边缘针脚阵列）
EPF（Embedded Processor Forum，嵌入式处理器论坛）
EPL（electron projection lithography，电子发射平版印刷）
EPM（Enhanced Power Management，增强形能源管理）
EPIC（explicitly parallel instruction code，并行指令代码）
EUV（Extreme Ultra Violet，紫外光）
EUV（extreme ultraviolet lithography，极端紫外平版印刷）
FADD（Floationg Point Addition，浮点加）
FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array，精细倾斜球状网阵排列）
FBGA（flipchip BGA，轻型芯片BGA）
FC-BGA（Flip-Chip Ball Grid Array，反转芯片球形栅格阵列）
FC-LGA（Flip-Chip Land Grid Array，反转接点栅格阵列）
FC-PGA（Flip-Chip Pin Grid Array，反转芯片针脚栅格阵列）
FDIV（Floationg Point Divide，浮点除）
FEMMS：Fast Entry/Exit Multimedia State，快速进入/退出多媒体状态
FFT（fast Fourier transform，快速热欧姆转换）
FGM（Fine-Grained Multithreading，高级多线程）
FID（FID：Frequency identify，频率鉴别号码）
FIFO（First Input First Output，先入先出队列）
FISC（Fast Instruction Set Computer，快速指令集计算机）
flip-chip（芯片反转）
FLOPs（Floating Point Operations Per Second，浮点操作/秒）
FMT（fine-grained multithreading，纯消除多线程）
FMUL（Floationg Point Multiplication，浮点乘）
FPRs（floating-point registers，浮点寄存器）
FPU（Float Point Unit，浮点运算单元）
FSUB（Floationg Point Subtraction，浮点减）
GFD（Gold finger Device，金手指超频设备）
GHC（Global History Counter，通用历史计数器）
GTL（Gunning Transceiver Logic，射电收发逻辑电路）
GVPP（Generic Visual Perception Processor，常规视觉处理器）
HL-PBGA: 表面黏著,高耐热、轻薄型塑胶球状网阵封装
HTT（Hyper-Threading Technology，超级线程技术）
Hz（hertz，赫兹，频率单位）
IA（Intel Architecture，英特尔架构）
IAA（Intel Application Accelerator，英特尔应用程序加速器）
ICU（Instruction Control Unit，指令控制单元）
ID（identify，鉴别号码）
IDF（Intel Developer Forum，英特尔开发者论坛）
IEU（Integer Execution Units，整数执行单元）
IHS（Integrated Heat Spreader，完整热量扩展）
ILP（Instruction Level Parallelism，指令级平行运算）
IMM: Intel Mobile Mole, 英特尔移动模块
Instructions Cache，指令缓存
Instruction Coloring（指令分类）
IOPs（Integer Operations Per Second，整数操作/秒）
IPC（Instructions Per Clock Cycle，指令/时钟周期）
ISA（instruction set architecture，指令集架构）
ISD（inbuilt speed-throttling device，内藏速度控制设备）
ITC（Instruction Trace Cache，指令追踪缓存）
ITRS（International Technology Roadmap for Semiconctors，国际半导体技术发展蓝图）
KNI（Katmai New Instructions，Katmai新指令集，即SSE）
Latency（潜伏期）
LDT（Lightning Data Transport，闪电数据传输总线）
LFU（Legacy Function Unit，传统功能单元）
LGA（land grid array，接点栅格阵列）
LN2（Liquid Nitrogen，液氮）
Local Interconnect（局域互连）
MAC（multiply-accumulate，累积乘法）
mBGA (Micro Ball Grid Array，微型球状网阵排列)
nm（namometer，十亿分之一米/毫微米）
MCA（machine check architecture，机器检查体系）
MCU（Micro-Controller Unit，微控制器单元）
MCT（Memory Controller，内存控制器）
MESI（Modified, Exclusive, Shared, Invalid：修改、排除、共享、废弃）
MF（MicroOps Fusion，微指令合并）
mm（micron metric，微米）
MMX（MultiMedia Extensions，多媒体扩展指令集）
MMU（Multimedia Unit，多媒体单元）
MMU（Memory Management Unit，内存管理单元）
MN（model numbers，型号数字）
MFLOPS（Million Floationg Point/Second，每秒百万个浮点操作）
MHz（megahertz，兆赫）
mil（PCB 或晶片布局的长度单位，1 mil = 千分之一英寸）
MIPS（Million Instruction Per Second，百万条指令/秒）
MOESI（Modified, Owned, Exclusive, Shared or Invalid，修改、自有、排除、共享或无效）
MOF（Micro Ops Fusion，微操作熔合）
Mops（Million Operations Per Second，百万次操作/秒）
MP（Multi-Processing，多重处理器架构）
MPF（Micro processor Forum，微处理器论坛）
MPU（Microprocessor Unit，微处理器）
MPS（MultiProcessor Specification，多重处理器规范）
MSRs（Model-Specific Registers，特别模块寄存器）
MSV（Multiprocessor Specification Version，多处理器规范版本）
NAOC（no-account OverClock，无效超频）
NI（Non－Intel，非英特尔）
NOP（no operation，非操作指令）
NRE（Non-Recurring Engineering charge，非重复性工程费用）
OBGA（Organic Ball Grid Arral，有机球状网阵排列）
OCPL（Off Center Parting Line，远离中心部分线队列）
OLGA（Organic Land Grid Array，有机平面网阵包装）
OoO（Out of Order，乱序执行）
OPC（Optical Proximity Correction，光学临近修正）
OPGA（Organic Pin Grid Array，有机塑料针型栅格阵列）
OPN（Ordering Part Number，分类零件号码）
PAT（Performance Acceleration Technology，性能加速技术）
PBGA（Plastic Pin Ball Grid Array，塑胶球状网阵排列）
PDIP (Plastic Dual-In-Line，塑料双重直线)
PDP（Parallel Data Processing，并行数据处理）
PGA（Pin-Grid Array，引脚网格阵列）,耗电大
PLCC (Plastic Leaded Chip Carriers，塑料行间芯片运载)
Post-RISC（加速RISC，或后RISC）
PR（Performance Rate，性能比率）
PIB（Processor In a Box，盒装处理器）
PM（Pseudo-Multithreading，假多线程）
PPGA（Plastic Pin Grid Array，塑胶针状网阵封装）
PQFP（Plastic Quad Flat Package，塑料方块平面封装）
PSN（Processor Serial numbers，处理器序列号）
QFP（Quad Flat Package，方块平面封装）
QSPS（Quick Start Power State，快速启动能源状态）
RAS（Return Address Stack，返回地址堆栈）
RAW（Read after Write，写后读）
REE（Rapid Execution Engine，快速执行引擎）
Register Contention（抢占寄存器）
Register Pressure（寄存器不足）
Register Renaming（寄存器重命名）
Remark（芯片频率重标识）
Resource contention（资源冲突）
Retirement（指令引退）
RISC（Reced Instruction Set Computing，精简指令集计算机）
ROB（Re-Order Buffer，重排序缓冲区）
RSE（register stack engine，寄存器堆栈引擎）
RTL（Register Transfer Level，暂存器转换层。硬体描述语言的一种描述层次）
SC242（242-contact slot connector，242脚金手指插槽连接器）
SE（Special Embedded，特别嵌入式）
SEC（Single Edge Connector，单边连接器）
SECC（Single Edge Contact Cartridge，单边接触卡盒）
SEPP（Single Edge Processor Package，单边处理器封装）
Shallow-trench isolation（浅槽隔离）
SIMD（Single Instruction Multiple Data，单指令多数据流）
SiO2F（Fluorided Silicon Oxide，二氧氟化硅）
SMI（System Management Interrupt，系统管理中断）
SMM（System Management Mode，系统管理模式）
SMP（Symmetric Multi-Processing，对称式多重处理架构）
SMT（Simultaneous multithreading，同步多线程）
SOI（Silicon-on-insulator，绝缘体硅片）
SOIC (Plastic Small Outline，塑料小型)
SONC（System on a chip，系统集成芯片）
SPGA（Staggered Pin Grid Array、交错式针状网阵封装）
SPEC（System Performance Evaluation Corporation，系统性能评估测试）
SQRT（Square Root Calculations，平方根计算）
SRQ（System Request Queue，系统请求队列）
SSE（Streaming SIMD Extensions，单一指令多数据流扩展）
SFF（Small form Factor，更小外形格局）
SS（Special Sizing，特殊缩放）
SSP（Slipstream processing，滑流处理）
⑤ 内存条上的“颗粒封装”是什么FBGA是什么意思
哎呀~~~~摘抄的 自己看吧！ 哈
内存颗粒的封装方式经历了DIP、SIP、SOJ、TSOP、BGA、CSP的变革，可谓风风雨雨一路发展而来.前面老的封装方式，就不说了，都成了历史。
就简单介绍一下CSP吧，CSP是我们的明日之星，大家都知道，封装面积与芯片的面积比越接近1：1越完美，那么CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1：1.14，已经相当接近1：1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。这样在相同体积下，内存条可以装入更多的芯片，从而增大单条容量。也就是说，与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍
内存编码含义
Samsung
具体含义解释：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
Hynix(Hyundai)现代
现代内存的含义：
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是现代的产品
2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266A
Infineon（亿恒）
Infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。
KINGMAX、kti
KINGMAX内存的说明
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。
Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。
Winbond（华邦）
含义说明：
W XX XX XX XX
1 2 3 4 5
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz
⑥ 内存芯片BGA和FBGA有什么不同
Fine-Pitch Ball Grid Array：细间距球栅阵列 FBGA（通常称作CSP)是一种在底部有焊球的面阵引脚结构，使封装所需的安装面积接近于芯片尺寸。 BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。 采用BGA技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有TSOP封装的三分之一；另外，与传统TSOP封装方式相比，BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。 BGA发展来的CSP封装技术正在逐渐展现它生力军本色，金士顿、勤茂科技等领先内存制造商已经推出了采用CSP封装技术的内存产品。CSP，全称为Chip Scale Package，即芯片尺寸封装的意思。作为新一代的芯片封装技术，在BGA、TSOP的基础上，CSP的性能又有了革命性的提升。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1：1.14，已经相当接近1：1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。这样在相同体积下，内存条可以装入更多的芯片，从而增大单条容量。也就是说，与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍，图4展示了三种封装技术内存芯片的比较，从中我们可以清楚的看到内存芯片封装技术正向着更小的体积方向发展。CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2mm，大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度的提高。CSP封装的电气性能和可靠性也相比BGA、TOSP有相当大的提高。在相同的芯片面积下CSP所能达到的引脚数明显的要比TSOP、BGA引脚数多的多（TSOP最多304根，BGA以600根为限，CSP原则上可以制造1000根），这样它可支持I/O端口的数目就增加了很多。此外，CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效的缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%－20%。在CSP的封装方式中，内存颗粒是通过一个个锡球焊接在PCB板上，由于焊点和PCB板的接触面积较大，所以内存芯片在运行中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去；而传统的TSOP封装方式中，内存芯片是通过芯片引脚焊在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB板传热就相对困难。CSP封装可以从背面散热，且热效率良好，CSP的热阻为35℃/W，而TSOP热阻40℃/W。测试结果显示，运用CSP封装的内存可使传导到PCB板上的热量高达88.4%，而TSOP内存中传导到PCB板上的热量能为71.3%。另外由于CSP芯片结构紧凑，电路冗余度低，因此它也省去了很多不必要的电功率消耗，致使芯片耗电量和工作温度相对降低。目前内存颗粒厂在制造DDR333和DDR400内存的时候均采用0.175微米制造工艺，良品率比较低。而如果将制造工艺提升到0.15甚至0.13微米的话，良品率将大大提高。而要达到这种工艺水平，采用CSP封装方式则是不可避免的。因此CSP封装的高性能内存是大势所趋. 这种高密度、小巧、扁薄的封装技术非常适宜用于设计小巧的手持式消费类电子装置，如个人信息工具、手机、摄录一体机、以及数码相机。 FBGA封装比BGA能够使内存颗粒的体积更小...性能上差不多吧~~
⑦ 内存封装模式CSP和FBGA有什么区别哪个好
FBGA脱胎于BGA，这个技术有好些年了，fbga 是塑料封装的bga bga=球栅阵列封装技术。该技术的出现便成为CPU、主板南、北桥芯片等高密度、高性能、多引脚封装的最佳选择。但BGA封装占用基板的面积比较大。虽然该技术的I/O引脚数增多，但引脚之间的距离远大于QFP，从而提高了组装成品率。而且该技术采用了可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能。另外该技术的组装可用共面焊接，从而能大大提高封装的可靠性；并且由该技术实现的封装CPU信号传输延迟小，适应频率可以提高很大。
BGA封装具有以下特点：
I/O引脚数虽然增多，但引脚之间的距离远大于QFP封装方式，提高了成品率
虽然BGA的功耗增加，但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善电热性能
信号传输延迟小，适应频率大大提高
组装可用共面焊接，可靠性大大提高
CSP(Chip Scale Package)，是芯片级封装的意思。CSP封装是比较新的内存芯片封装技术，其技术性能又有了新的提升。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1:1.14，已经相当接近1:1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。
CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%-20%。在CSP的封装方式中，内存颗粒是通过一个个锡球焊接在PCB板上，由于焊点和PCB板的接触面积较大，所以内存芯片在运行中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去。CSP封装可以从背面散热，且热效率良好，CSP的热阻为35℃/W，而TSOP热阻
⑧ FPGA的软件可编程是指什么
是不是利用软件语言描绘实现你所想要的电路功能，有时候利用软件编程可以不考虑具体的繁琐内部器件，只要保证逻辑关系和时序正确即可。目前对fpga芯片编程可以使用VHDL或Verilog HDL语言，这两种语言各有特点，可以根据自己的需求选择学习。另外，如果你是用的是altera公司的芯片还可以使用nios软件，该款软件在一定程度上是支持C语言的
⑨ 半导体封装是指点哪些PBGA,FBGA,POP/PIP是指什么
半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片（Die），然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板（引线框架）架的小岛上，再利用超细的金属（金锡铜铝）导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘（Bond Pad）连接到基板的相应引脚（Lead）,并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后还要进行一系列操作，封装完成后进行成品测试，通常经过入检Incoming、测试Test和包装Packing等工序，最后入库出货。
PBGA为塑料焊球阵列
主流的，有成本竞争优势的BGA封装方案
FBGA是 FBGA封装
Fine-Pitch Ball Grid Array（意译为“细间距球栅阵列”）的缩写。
PIP封装技术是Kingmax融合了TinyBGA内存封装技术而研发出的小型存储卡的一体化封装技术
⑩ 三菱PLC FB编程是什么意思,怎么使用
功能块图，（function block diagram）这是一种类似数字逻辑电路的图形编程语言，用类似与门或门的方框来表示逻辑关系。