① BGA和FBGA和FPGA的區別長的都一樣
1、概念區別：BGA是父，FBGA是子；因為FBGA封裝技術在建立在BGA基礎之上發展而來的。
2、封裝技術方式區別：BGA是焊球陣列封裝；FBGA是細間距球柵陣列封裝。
3、BGA優勢：體積小、散熱快；而FBGA優勢：封裝速度快、存儲量大。
至於FPGA則是另一種概念了，不是封裝概念，是一種可編程邏輯晶元，跟MCU，DSP的概念類似，既然是晶元的概念，它可以有BGA或FBGA或其它形式封裝
希望對你有幫助，採納一下吧
② 內存條FBGA與MBGA有什麼區別
BGA是一種封裝技術，即球柵陣列封裝，是現在內存用的主流封裝形式，相比老式的TSOP封裝，具有體積小、電氣性能好等優點。
其中FBGA是BGA技術的一種發展，即Fine-Pitch
BGA（細間距BGA），BGA錫球針腳密度更大，體積更小，容量更大，散熱更好，更適合於內存與顯存顆粒的封裝。而MBGA則是FBGA技術在外觀上的一種體現，即Micro
BGA（微型BGA），跟FBGA實際上是一樣的。
也就是說FBGA/MBGA實際上都是同一個東西，只不過稱呼的側重點不同，MBGA側重於對外觀的直接描述，FBGA側重與對針腳的排列形式。
有些廠家習慣性把存儲顆粒的外觀形式出現的先後順序作為MBGA和FBGA的區別，他們會把出現得早的正方形顆粒稱作MBGA，名稱出現得晚一點的長方形的稱作FBGA。其實他們都是可以直接稱呼為MBGA或者FBGA的。
③ 內存的FBGA和BGA的區別是什麼
它們的區別有許多，簡單說幾個區別：
1、首先第一個區別在於概念：BGA是父，FBGA是子；因為FBGA封裝技術在建立在BGA基礎之上發展而來的。
2、第二個區別在於封裝技術方式：BGA是焊球陣列封裝；FBGA是細間距球柵陣列封裝。
3、BGA優勢：體積小、散熱快；而FBGA優勢：封裝速度快、存儲量大。
④ 關於計算機的專業術語
? 1、CPU
3DNow!（3D no waiting，無須等待的3D處理）
AAM（AMD Analyst Meeting，AMD分析家會議）
ABP（Advanced Branch Prediction，高級分支預測）
ACG（Aggressive Clock Gating，主動時鍾選擇）
AIS（Alternate Instruction Set，交替指令集）
ALAT（advanced load table，高級載入表）
ALU（Arithmetic Logic Unit，算術邏輯單元）
Aluminum（鋁）
AGU（Address Generation Units，地址產成單元）
APC（Advanced Power Control，高級能源控制）
APIC（Advanced rogrammable Interrupt Controller，高級可編程中斷控制器）
APS（Alternate Phase Shifting，交替相位跳轉）
ASB（Advanced System Buffering，高級系統緩沖）
ATC（Advanced Transfer Cache，高級轉移緩存）
ATD（Assembly Technology Development，裝配技術發展）
BBUL（Bumpless Build-Up Layer，內建非凹凸層）
BGA（Ball Grid Array，球狀網陣排列）
BHT（branch prediction table，分支預測表）
Bops（Billion Operations Per Second，10億操作/秒）
BPU（Branch Processing Unit，分支處理單元）
BP（Brach Pediction，分支預測）
BSP（Boot Strap Processor，啟動捆綁處理器）
BTAC（Branch Target Address Calculator，分支目標定址計算器）
CBGA (Ceramic Ball Grid Array，陶瓷球狀網陣排列)
CDIP (Ceramic Dual-In-Line，陶瓷雙重直線)
Center Processing Unit Utilization，中央處理器佔用率
CFM（cubic feet per minute，立方英尺/秒）
CMT（course-grained multithreading，過程消除多線程）
CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconctor，互補金屬氧化物半導體）
CMOV（conditional move instruction，條件移動指令）
CISC（Complex Instruction Set Computing，復雜指令集計算機）
CLK（Clock Cycle，時鍾周期）
CMP（on-chip multiprocessor，片內多重處理）
CMS（Code Morphing Software，代碼變形軟體）
co-CPU（cooperative CPU，協處理器）
COB（Cache on board，板上集成緩存，做在CPU卡上的二級緩存，通常是內核的一半速度））
COD（Cache on Die，晶元內核集成緩存）
Copper（銅）
CPGA（Ceramic Pin Grid Array，陶瓷針型柵格陣列）
CPI（cycles per instruction，周期/指令）
CPLD（Complex Programmable Logic Device，復雜可程式化邏輯元件）
CPU（Center Processing Unit，中央處理器）
CRT（Cooperative Rendant Threads，協同多餘線程）
CSP（Chip Scale Package，晶元比例封裝）
CXT（Chooper eXTend，增強形K6-2內核，即K6-3）
Data Forwarding（數據前送）
dB（decibel，分貝）
DCLK（Dot Clock，點時鍾）
DCT（DRAM Controller，DRAM控制器）
DDT（Dynamic Deferred Transaction，動態延期處理）
Decode（指令解碼）
DIB（Dual Independent Bus，雙重獨立匯流排）
DMT（Dynamic Multithreading Architecture，動態多線程結構）
DP（Dual Processor，雙處理器）
DSM（Dedicated Stack Manager，專門堆棧管理）
DSMT（Dynamic Simultaneous Multithreading，動態同步多線程）
DST（Depleted Substrate Transistor，衰竭型底層晶體管）
DTV（Dual Threshold Voltage，雙重極限電壓）
DUV（Deep Ultra-Violet，縱深紫外光）
EBGA（Enhanced Ball Grid Array，增強形球狀網陣排列）
EBL（electron beam lithography，電子束平版印刷）
EC（Embedded Controller，嵌入式控制器）
EDEC（Early Decode，早期解碼）
Embedded Chips（嵌入式）
EPA（edge pin array，邊緣針腳陣列）
EPF（Embedded Processor Forum，嵌入式處理器論壇）
EPL（electron projection lithography，電子發射平版印刷）
EPM（Enhanced Power Management，增強形能源管理）
EPIC（explicitly parallel instruction code，並行指令代碼）
EUV（Extreme Ultra Violet，紫外光）
EUV（extreme ultraviolet lithography，極端紫外平版印刷）
FADD（Floationg Point Addition，浮點加）
FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array，精細傾斜球狀網陣排列）
FBGA（flipchip BGA，輕型晶元BGA）
FC-BGA（Flip-Chip Ball Grid Array，反轉晶元球形柵格陣列）
FC-LGA（Flip-Chip Land Grid Array，反轉接點柵格陣列）
FC-PGA（Flip-Chip Pin Grid Array，反轉晶元針腳柵格陣列）
FDIV（Floationg Point Divide，浮點除）
FEMMS：Fast Entry/Exit Multimedia State，快速進入/退出多媒體狀態
FFT（fast Fourier transform，快速熱歐姆轉換）
FGM（Fine-Grained Multithreading，高級多線程）
FID（FID：Frequency identify，頻率鑒別號碼）
FIFO（First Input First Output，先入先出隊列）
FISC（Fast Instruction Set Computer，快速指令集計算機）
flip-chip（晶元反轉）
FLOPs（Floating Point Operations Per Second，浮點操作/秒）
FMT（fine-grained multithreading，純消除多線程）
FMUL（Floationg Point Multiplication，浮點乘）
FPRs（floating-point registers，浮點寄存器）
FPU（Float Point Unit，浮點運算單元）
FSUB（Floationg Point Subtraction，浮點減）
GFD（Gold finger Device，金手指超頻設備）
GHC（Global History Counter，通用歷史計數器）
GTL（Gunning Transceiver Logic，射電收發邏輯電路）
GVPP（Generic Visual Perception Processor，常規視覺處理器）
HL-PBGA: 表面黏著,高耐熱、輕薄型塑膠球狀網陣封裝
HTT（Hyper-Threading Technology，超級線程技術）
Hz（hertz，赫茲，頻率單位）
IA（Intel Architecture，英特爾架構）
IAA（Intel Application Accelerator，英特爾應用程序加速器）
ICU（Instruction Control Unit，指令控制單元）
ID（identify，鑒別號碼）
IDF（Intel Developer Forum，英特爾開發者論壇）
IEU（Integer Execution Units，整數執行單元）
IHS（Integrated Heat Spreader，完整熱量擴展）
ILP（Instruction Level Parallelism，指令級平行運算）
IMM: Intel Mobile Mole, 英特爾移動模塊
Instructions Cache，指令緩存
Instruction Coloring（指令分類）
IOPs（Integer Operations Per Second，整數操作/秒）
IPC（Instructions Per Clock Cycle，指令/時鍾周期）
ISA（instruction set architecture，指令集架構）
ISD（inbuilt speed-throttling device，內藏速度控制設備）
ITC（Instruction Trace Cache，指令追蹤緩存）
ITRS（International Technology Roadmap for Semiconctors，國際半導體技術發展藍圖）
KNI（Katmai New Instructions，Katmai新指令集，即SSE）
Latency（潛伏期）
LDT（Lightning Data Transport，閃電數據傳輸匯流排）
LFU（Legacy Function Unit，傳統功能單元）
LGA（land grid array，接點柵格陣列）
LN2（Liquid Nitrogen，液氮）
Local Interconnect（局域互連）
MAC（multiply-accumulate，累積乘法）
mBGA (Micro Ball Grid Array，微型球狀網陣排列)
nm（namometer，十億分之一米/毫微米）
MCA（machine check architecture，機器檢查體系）
MCU（Micro-Controller Unit，微控制器單元）
MCT（Memory Controller，內存控制器）
MESI（Modified, Exclusive, Shared, Invalid：修改、排除、共享、廢棄）
MF（MicroOps Fusion，微指令合並）
mm（micron metric，微米）
MMX（MultiMedia Extensions，多媒體擴展指令集）
MMU（Multimedia Unit，多媒體單元）
MMU（Memory Management Unit，內存管理單元）
MN（model numbers，型號數字）
MFLOPS（Million Floationg Point/Second，每秒百萬個浮點操作）
MHz（megahertz，兆赫）
mil（PCB 或晶片布局的長度單位，1 mil = 千分之一英寸）
MIPS（Million Instruction Per Second，百萬條指令/秒）
MOESI（Modified, Owned, Exclusive, Shared or Invalid，修改、自有、排除、共享或無效）
MOF（Micro Ops Fusion，微操作熔合）
Mops（Million Operations Per Second，百萬次操作/秒）
MP（Multi-Processing，多重處理器架構）
MPF（Micro processor Forum，微處理器論壇）
MPU（Microprocessor Unit，微處理器）
MPS（MultiProcessor Specification，多重處理器規范）
MSRs（Model-Specific Registers，特別模塊寄存器）
MSV（Multiprocessor Specification Version，多處理器規范版本）
NAOC（no-account OverClock，無效超頻）
NI（Non－Intel，非英特爾）
NOP（no operation，非操作指令）
NRE（Non-Recurring Engineering charge，非重復性工程費用）
OBGA（Organic Ball Grid Arral，有機球狀網陣排列）
OCPL（Off Center Parting Line，遠離中心部分線隊列）
OLGA（Organic Land Grid Array，有機平面網陣包裝）
OoO（Out of Order，亂序執行）
OPC（Optical Proximity Correction，光學臨近修正）
OPGA（Organic Pin Grid Array，有機塑料針型柵格陣列）
OPN（Ordering Part Number，分類零件號碼）
PAT（Performance Acceleration Technology，性能加速技術）
PBGA（Plastic Pin Ball Grid Array，塑膠球狀網陣排列）
PDIP (Plastic Dual-In-Line，塑料雙重直線)
PDP（Parallel Data Processing，並行數據處理）
PGA（Pin-Grid Array，引腳網格陣列）,耗電大
PLCC (Plastic Leaded Chip Carriers，塑料行間晶元運載)
Post-RISC（加速RISC，或後RISC）
PR（Performance Rate，性能比率）
PIB（Processor In a Box，盒裝處理器）
PM（Pseudo-Multithreading，假多線程）
PPGA（Plastic Pin Grid Array，塑膠針狀網陣封裝）
PQFP（Plastic Quad Flat Package，塑料方塊平面封裝）
PSN（Processor Serial numbers，處理器序列號）
QFP（Quad Flat Package，方塊平面封裝）
QSPS（Quick Start Power State，快速啟動能源狀態）
RAS（Return Address Stack，返回地址堆棧）
RAW（Read after Write，寫後讀）
REE（Rapid Execution Engine，快速執行引擎）
Register Contention（搶占寄存器）
Register Pressure（寄存器不足）
Register Renaming（寄存器重命名）
Remark（晶元頻率重標識）
Resource contention（資源沖突）
Retirement（指令引退）
RISC（Reced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機）
ROB（Re-Order Buffer，重排序緩沖區）
RSE（register stack engine，寄存器堆棧引擎）
RTL（Register Transfer Level，暫存器轉換層。硬體描述語言的一種描述層次）
SC242（242-contact slot connector，242腳金手指插槽連接器）
SE（Special Embedded，特別嵌入式）
SEC（Single Edge Connector，單邊連接器）
SECC（Single Edge Contact Cartridge，單邊接觸卡盒）
SEPP（Single Edge Processor Package，單邊處理器封裝）
Shallow-trench isolation（淺槽隔離）
SIMD（Single Instruction Multiple Data，單指令多數據流）
SiO2F（Fluorided Silicon Oxide，二氧氟化硅）
SMI（System Management Interrupt，系統管理中斷）
SMM（System Management Mode，系統管理模式）
SMP（Symmetric Multi-Processing，對稱式多重處理架構）
SMT（Simultaneous multithreading，同步多線程）
SOI（Silicon-on-insulator，絕緣體矽片）
SOIC (Plastic Small Outline，塑料小型)
SONC（System on a chip，系統集成晶元）
SPGA（Staggered Pin Grid Array、交錯式針狀網陣封裝）
SPEC（System Performance Evaluation Corporation，系統性能評估測試）
SQRT（Square Root Calculations，平方根計算）
SRQ（System Request Queue，系統請求隊列）
SSE（Streaming SIMD Extensions，單一指令多數據流擴展）
SFF（Small form Factor，更小外形格局）
SS（Special Sizing，特殊縮放）
SSP（Slipstream processing，滑流處理）
⑤ 內存條上的「顆粒封裝」是什麼FBGA是什麼意思
哎呀~~~~摘抄的 自己看吧！ 哈
內存顆粒的封裝方式經歷了DIP、SIP、SOJ、TSOP、BGA、CSP的變革，可謂風風雨雨一路發展而來.前面老的封裝方式，就不說了，都成了歷史。
就簡單介紹一下CSP吧，CSP是我們的明日之星，大家都知道，封裝面積與晶元的面積比越接近1：1越完美，那麼CSP封裝可以讓晶元面積與封裝面積之比超過1：1.14，已經相當接近1：1的理想情況，絕對尺寸也僅有32平方毫米，約為普通的BGA的1/3，僅僅相當於TSOP內存晶元面積的1/6。這樣在相同體積下，內存條可以裝入更多的晶元，從而增大單條容量。也就是說，與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提高三倍
內存編碼含義
Samsung
具體含義解釋：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含義：
第1位——晶元功能K，代表是內存晶元。
第2位——晶元類型4，代表DRAM。
第3位——晶元的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內存採用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——數據線引腳個數，08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64代表64位數據。
第11位——連線「-」。
第14、15位——晶元的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。
知道了內存顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個內存條後就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR內存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位「28」代表該顆粒是128Mbits，第6、7位「08」代表該顆粒是8位數據帶寬，這樣我們可以計算出該內存條的容量是128Mbits（兆數位） × 16片/8bits=256MB（兆位元組）。
註：「bit」為「數位」，「B」即位元組「byte」，一個位元組為8位則計算時除以8。關於內存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內存，每8片8位數據寬度的顆粒就可以組成一條內存；另一種ECC內存，在每64位數據之後，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內存數據中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的內存條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判定18片或者9片內存顆粒貼片的內存條是ECC內存。
Hynix(Hyundai)現代
現代內存的含義：
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是現代的產品
2、內存晶元類型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
4、晶元容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
5、代表晶元輸出的數據位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
6、BANK數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系
7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8、晶元內核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新
9、代表功耗：L=低功耗晶元，空白=普通晶元
10、內存晶元封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266A
Infineon（億恆）
Infineon是德國西門子的一個分公司，目前國內市場上西門子的子公司Infineon生產的內存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號中詳細列出了其內存的容量、數據寬度。Infineon的內存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，「128」標識的是該顆粒的容量，後三位標識的是該內存數據寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon內存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最後加一短線，然後標上工作速率。
-7.5——表示該內存的工作頻率是133MHz；
-8——表示該內存的工作頻率是100MHz。
例如：
1條Kingston的內存條，採用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位）×16片/8=256MB（兆位元組）。
1條Ramaxel的內存條，採用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位） × 8 片/8=128MB（兆位元組）。
KINGMAX、kti
KINGMAX內存的說明
Kingmax內存都是採用TinyBGA封裝（Tiny ball grid array）。並且該封裝模式是專利產品，所以我們看到採用Kingmax顆粒製作的內存條全是該廠自己生產。Kingmax內存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內存顆粒型號列表出來。
容量備註：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間 × 4位數據寬度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間 × 8位數據寬度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間 × 4位數據寬度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間 × 8位數據寬度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空間 × 16位數據寬度。
Kingmax內存的工作速率有四種狀態，是在型號後用短線符號隔開標識內存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一條Kingmax內存條，採用16片KSV884T4A0A-7A 的內存顆粒製造，其容量計算為： 64Mbits（兆數位）×16片/8=128MB（兆位元組）。
Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內存的編碼規則。
含義：
MT——Micron的廠商名稱。
48——內存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——內存顆粒容量為128Mbits，計算方法是：16M（地址）×8位數據寬度。
A2——內存內核版本號。
TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。
-75——內存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
實例：一條Micron DDR內存條，採用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒製造。該內存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數片內存顆粒。
其容量計算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆位元組）。
Winbond（華邦）
含義說明：
W XX XX XX XX
1 2 3 4 5
1、W代表內存顆粒是由Winbond生產
2、代表顯存類型：98為SDRAM，94為DDR RAM
3、代表顆粒的版本號：常見的版本號為B和H；
4、代表封裝，H為TSOP封裝，B為BGA封裝，D為LQFP封裝
5、工作頻率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz
⑥ 內存晶元BGA和FBGA有什麼不同
Fine-Pitch Ball Grid Array：細間距球柵陣列 FBGA（通常稱作CSP)是一種在底部有焊球的面陣引腳結構，使封裝所需的安裝面積接近於晶元尺寸。 BGA是英文Ball Grid Array Package的縮寫，即球柵陣列封裝。 採用BGA技術封裝的內存，可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高兩到三倍，BGA與TSOP相比，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。BGA封裝技術使每平方英寸的存儲量有了很大提升，採用BGA封裝技術的內存產品在相同容量下，體積只有TSOP封裝的三分之一；另外，與傳統TSOP封裝方式相比，BGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。 BGA發展來的CSP封裝技術正在逐漸展現它生力軍本色，金士頓、勤茂科技等領先內存製造商已經推出了採用CSP封裝技術的內存產品。CSP，全稱為Chip Scale Package，即晶元尺寸封裝的意思。作為新一代的晶元封裝技術，在BGA、TSOP的基礎上，CSP的性能又有了革命性的提升。CSP封裝可以讓晶元面積與封裝面積之比超過1：1.14，已經相當接近1：1的理想情況，絕對尺寸也僅有32平方毫米，約為普通的BGA的1/3，僅僅相當於TSOP內存晶元面積的1/6。這樣在相同體積下，內存條可以裝入更多的晶元，從而增大單條容量。也就是說，與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提高三倍，圖4展示了三種封裝技術內存晶元的比較，從中我們可以清楚的看到內存晶元封裝技術正向著更小的體積方向發展。CSP封裝內存不但體積小，同時也更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.2mm，大大提高了內存晶元在長時間運行後的可靠性，線路阻抗顯著減小，晶元速度也隨之得到大幅度的提高。CSP封裝的電氣性能和可靠性也相比BGA、TOSP有相當大的提高。在相同的晶元面積下CSP所能達到的引腳數明顯的要比TSOP、BGA引腳數多的多（TSOP最多304根，BGA以600根為限，CSP原則上可以製造1000根），這樣它可支持I/O埠的數目就增加了很多。此外，CSP封裝內存晶元的中心引腳形式有效的縮短了信號的傳導距離，其衰減隨之減少，晶元的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升，這也使得CSP的存取時間比BGA改善15%－20%。在CSP的封裝方式中，內存顆粒是通過一個個錫球焊接在PCB板上，由於焊點和PCB板的接觸面積較大，所以內存晶元在運行中所產生的熱量可以很容易地傳導到PCB板上並散發出去；而傳統的TSOP封裝方式中，內存晶元是通過晶元引腳焊在PCB板上的，焊點和PCB板的接觸面積較小，使得晶元向PCB板傳熱就相對困難。CSP封裝可以從背面散熱，且熱效率良好，CSP的熱阻為35℃/W，而TSOP熱阻40℃/W。測試結果顯示，運用CSP封裝的內存可使傳導到PCB板上的熱量高達88.4%，而TSOP內存中傳導到PCB板上的熱量能為71.3%。另外由於CSP晶元結構緊湊，電路冗餘度低，因此它也省去了很多不必要的電功率消耗，致使晶元耗電量和工作溫度相對降低。目前內存顆粒廠在製造DDR333和DDR400內存的時候均採用0.175微米製造工藝，良品率比較低。而如果將製造工藝提升到0.15甚至0.13微米的話，良品率將大大提高。而要達到這種工藝水平，採用CSP封裝方式則是不可避免的。因此CSP封裝的高性能內存是大勢所趨. 這種高密度、小巧、扁薄的封裝技術非常適宜用於設計小巧的手持式消費類電子裝置，如個人信息工具、手機、攝錄一體機、以及數碼相機。 FBGA封裝比BGA能夠使內存顆粒的體積更小...性能上差不多吧~~
⑦ 內存封裝模式CSP和FBGA有什麼區別哪個好
FBGA脫胎於BGA，這個技術有好些年了，fbga 是塑料封裝的bga bga=球柵陣列封裝技術。該技術的出現便成為CPU、主板南、北橋晶元等高密度、高性能、多引腳封裝的最佳選擇。但BGA封裝佔用基板的面積比較大。雖然該技術的I/O引腳數增多，但引腳之間的距離遠大於QFP，從而提高了組裝成品率。而且該技術採用了可控塌陷晶元法焊接，從而可以改善它的電熱性能。另外該技術的組裝可用共面焊接，從而能大大提高封裝的可靠性；並且由該技術實現的封裝CPU信號傳輸延遲小，適應頻率可以提高很大。
BGA封裝具有以下特點：
I/O引腳數雖然增多，但引腳之間的距離遠大於QFP封裝方式，提高了成品率
雖然BGA的功耗增加，但由於採用的是可控塌陷晶元法焊接，從而可以改善電熱性能
信號傳輸延遲小，適應頻率大大提高
組裝可用共面焊接，可靠性大大提高
CSP(Chip Scale Package)，是晶元級封裝的意思。CSP封裝是比較新的內存晶元封裝技術，其技術性能又有了新的提升。CSP封裝可以讓晶元面積與封裝面積之比超過1:1.14，已經相當接近1:1的理想情況，絕對尺寸也僅有32平方毫米，約為普通的BGA的1/3，僅僅相當於TSOP內存晶元面積的1/6。
CSP封裝內存晶元的中心引腳形式有效地縮短了信號的傳導距離，其衰減隨之減少，晶元的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升，這也使得CSP的存取時間比BGA改善15%-20%。在CSP的封裝方式中，內存顆粒是通過一個個錫球焊接在PCB板上，由於焊點和PCB板的接觸面積較大，所以內存晶元在運行中所產生的熱量可以很容易地傳導到PCB板上並散發出去。CSP封裝可以從背面散熱，且熱效率良好，CSP的熱阻為35℃/W，而TSOP熱阻
⑧ FPGA的軟體可編程是指什麼
是不是利用軟體語言描繪實現你所想要的電路功能，有時候利用軟體編程可以不考慮具體的繁瑣內部器件，只要保證邏輯關系和時序正確即可。目前對fpga晶元編程可以使用VHDL或Verilog HDL語言，這兩種語言各有特點，可以根據自己的需求選擇學習。另外，如果你是用的是altera公司的晶元還可以使用nios軟體，該款軟體在一定程度上是支持C語言的
⑨ 半導體封裝是指點哪些PBGA,FBGA,POP/PIP是指什麼
半導體封裝是指將通過測試的晶圓按照產品型號及功能需求加工得到獨立晶元的過程。封裝過程為：來自晶圓前道工藝的晶圓通過劃片工藝後被切割為小的晶片（Die），然後將切割好的晶片用膠水貼裝到相應的基板（引線框架）架的小島上，再利用超細的金屬（金錫銅鋁）導線或者導電性樹脂將晶片的接合焊盤（Bond Pad）連接到基板的相應引腳（Lead）,並構成所要求的電路；然後再對獨立的晶片用塑料外殼加以封裝保護，塑封之後還要進行一系列操作，封裝完成後進行成品測試，通常經過入檢Incoming、測試Test和包裝Packing等工序，最後入庫出貨。
PBGA為塑料焊球陣列
主流的，有成本競爭優勢的BGA封裝方案
FBGA是 FBGA封裝
Fine-Pitch Ball Grid Array（意譯為「細間距球柵陣列」）的縮寫。
PIP封裝技術是Kingmax融合了TinyBGA內存封裝技術而研發出的小型存儲卡的一體化封裝技術
⑩ 三菱PLC FB編程是什麼意思,怎麼使用
功能塊圖，（function block diagram）這是一種類似數字邏輯電路的圖形編程語言，用類似與門或門的方框來表示邏輯關系。